晶体三极管的参数及在热电阻校验仪中的应用
主要参数

晶体三极管的参数分为两类，一类是应用参数，表明管子的各种性能；另一类是极限参数，表明了管子的安全使用范围。在业余制作和使用中，必须了解以下几项参数。

①电流放大系数(β和β)——这是晶体三极管的主要电参数之一。晶体三极管的集电极电流/和基极电流，的比值，叫做静态电流放大系数，或直流电流放大系数，用β或hr表示，即：

β=集电极直流电流/。/基极直流电流/。

晶体三极管集电极电流的变化量△/c,与基极电流的变化量△/的比值，叫作动态电流放大系数，或交流电流放大系数，用β表示，即：β=集电极电流变化量△/。/基极电流变化量△16

上面公式中，希腊字母β读作“贝塔”,△读作“得尔塔”

电流放大系数的大小，表示晶体三极管的放大能力强弱。粗略估算时，可以认为β等于β。常用小功率三极管的β值大约在20～200。

②特征频率(f)——这是晶体三极管的另一主要电参数。三极管的电流放大系数β与工作频率有关，工作频率超过一定值时，β值开始下降：当β值下降为1时，所对应的频率即为特征频率。这时三极管已完全没有了电流放大能力。一般应使三极管工作于5%f1以下。

③集电极反向电流(1。)——它是指在发射极开路的情况下，在基极与集电极之间加上规定的反向电压，流过集电结的反向截止电流，用/.。表示(脚注“o”代表发射极引出端开路)。此电流只跟温度有关，跟所加反向电压的大小基本无关系，所以又称为“反向饱和电流”。该参数能够反映出集电结的温度稳定性和热噪声，良好的晶体三极管其/co。值应该是很小。在室温下，小功率锗管的/。。为1～10μa,小功率硅管的/cb则在1μa以下。显然，锗管的/so比硅管的要大得多，这也是锗管的稳定性比硅管要差许多的主要原因之一。

④穿透电流(1.。)——这是指晶体三极管的基极开路(不与电路中其他点连接)时，集电极与发射极之间加上反向电压后出现的集电极电流，用/。,表示。一般情况下，小功率锗管的穿透电流在几百微安以下。硅管在几微安以下，都是很小的值。穿透电流大的三极管电流损耗大，受环境温度影响严重，工作不够稳定。穿透电流是衡量三极管热稳定性的重要参数，它的数值越小，管子的热稳定性也越好。

⑤集电极一发射极击穿电压(v(br)c。)——这是晶体三极管的一项极限参数。v(br)ce0是指基极开路时，所允许加在集电极与发射极之间的最大电压。工作电压超过v(br)cco,三极管将可能被击穿。有的晶体管手册中将v(ep)ce,用bu,表示，两者是完全一样的。

⑥集电极最大允许电流(/cw)——这也是晶体三极管的一项极限参数。晶体三极管工作时，若集电极电流过大会引起β值下降。一般规定，β下降到额定值的1/2或2/3时的集电极电流为集电极最大允许电流，常用/cw表示。实际应用时，集电极电流超过/cw值，三极管不一定会损坏，但放大能力将会下降。

⑦集电极最大耗散功率(pom)——也叫集电极最大允许功耗，是晶体三极管的又一项极限参数。晶体三极管工作时，集电极要耗散功率。当耗散功率超出一定限度时，三极管会因集电结温度过高而烧坏。三极管的集电极最大耗散功率大小是由管子的设计和制造工艺所决定的，用pcm表示，其数值大小可从器件性能手册中查到。实际使用时，三极管的集电极实际耗散功率必须小于这个极限值，即“集电极与发射极之间的实际工作电压u.。×集电极工作电流/。<pcm”,否则，哪怕是短时间的超出，也会损坏三极管。小功率三极管的pcw值在几十到几百毫瓦之间，大功率管在1w以上。

晶体三极管还有许多其他参数，若使用条件比较特殊(如高温、高频、高压)时，应注意参照选择。